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　　创新发展郑有炓还指出：“三代半导体在基础层面对新基建的实施、5G信息技术的创新发展以及新时期产业数字化转型智能化发展，提供了的支撑”以射频芯片为例，代半导体的LDMOS器件，工作电压低（串联多极功放），功率附加效率低（35%---50%），电流开关比低、能耗大，zGaAs器件的工作可以达到毫米波段，但是输出功率不高，功率密度也较小（1-2W/mm）三代半导体RF-GaN了GeSi、Si-LDMOS和GaAs具有更高工作电压、更高功率、更率、高功率密度。

 

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